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UTT100N08L-TA3-T

更新时间： 2024-02-09 15:23:24

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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3页	124K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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UTT100N08L-TA3-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.13
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	875 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	80 V
最大漏极电流 (ID)：	100 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UTT100N08L-TA3-T 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UTT100N08

Preliminary

Power MOSFET

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE POWER MOSFET

DESCRIPTION

The UTC UTT100N08 is an N-channel enhancement mode Power

FET using UTC’s advanced technology to provide customers with a

minimum on-state resistance and superior switching performance.

It also can withstand high energy pulse in the avalanche and

commutation mode.

FEATURES

* Fast switching speed

* R_DS(ON)= 7mΩ @ V_GS=10V

* Work below 175°C

* 100% avalanche tested

* Improved dv/dt capability

SYMBOL

2.Drain

1.Gate

3.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

TO-220

Packing

Tube

Lead Free

Halogen Free

UTT100N08G-TA3-T

UTT100N08L-TA3-T

Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain

S: Source

UTT100N08L-TA3-T

(1)Packing Type

(1) T: Tube

(2)Package Type

(3)Lead Free

(2) TA3: TO-220

(3) G: Halogen Free, L: Lead Free

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-727.a

12 3

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UTT100N75H	UTC	获取价格	N-CH
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UTT100P03G-TA3-T	UTC	获取价格	100A, 30V P-CHANNEL POWER MOSFET
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UTT108N03G-TA3-T	UTC	获取价格	30V, 108A N-CHANNEL POWER MOSFET
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