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UT4392G-S08-R

更新时间： 2024-01-28 09:06:40

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友顺 - UTC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
30V N-CHANNEL POWER MOSFET

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UT4392G-S08-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	12.5 A
最大漏源导通电阻：	0.0115 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UT4392G-S08-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT4392

Power MOSFET

30V N-CHANNEL POWER

MOSFET

DESCRIPTION

The UT4392 uses UTC advanced technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with low gate

voltages. This device is suitable for being used in such applications:

high-Side DC/DC Conversion, notebook and sever.

FEATURES

* V_DS(V)=30V

* I_D=12.5 A (V_GS=10V)

* High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance

* R_DS(ON)<11.5mΩ@V_GS=10V

* R_DS(ON)<16.5mΩ@V_GS=4.5V

Lead-free:

Halogen-free: UT4392G

UT4392L

SYMBOL

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

SOP-8

Packing

Normal

Lead Free Plating

UT4392L-S08-R

Halogen Free

1 2 3 4 5 6 7 8

UT4392-S08-R

UT4392G-S08-R

S S S G D D D D Tape Reel

www.unisonic.com.tw

1 of 3

QW-R502-312.A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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