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UT4101G-AE3-R

更新时间： 2024-01-13 16:26:43

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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

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UT4101G-AE3-R 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.68	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	2.4 A
最大漏源导通电阻：	0.085 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UT4101G-AE3-R 数据手册

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

UT4101

Power MOSFET

P-CHANNEL

ENHANCEMENT MODE

DESCRIPTION

The UTC UT4101 is P-channel enhancement mode Power

MOSFET, designed with high density cell, with fast switching speed,

low on-resistance, excellent thermal and electrical capabilities and

operation with low gate voltages.

This device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications.

SYMBOL

3.Drain

2.Gate

1.Source

ORDERING INFORMATION

Ordering Number

Pin Assignment

Package

Packing

Lead Free

Halogen Free

UT4101G-AE2-R

UT4101G-AE3-R

UT4101L-AE2-R

UT4101L-AE3-R

SOT-23-3

SOT-23

Tape Reel

MARKING

41A

L: Lead Free

G: Halogen Free

www.unisonic.com.tw

1 of 5

QW-R502-164.C

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UT4101L-AE2-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT4101L-AE3-R	UTC	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
UT4114	UTC	获取价格	N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET
UT4114G-S08-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL JUNCTIN SILICON FET
UT4-12-30-F1	ETC	获取价格	THERMOELECT
UT4-12-30-F2	ETC	获取价格	THERMOELECT
UT4-12-40-FI	ETC	获取价格	THERMOELECT
UT4232	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
UT4232_15	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
UT4232G-S08-R	UTC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET