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USF10G48

更新时间： 2024-01-01 20:32:26

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东芝 - TOSHIBA		局域网
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6页	233K
描述
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

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USF10G48 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.21
外壳连接：	ANODE	配置：	SINGLE
最大直流栅极触发电流：	10 mA	最大直流栅极触发电压：	1 V
最大维持电流：	40 mA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
最大漏电流：	0.01 mA	通态非重复峰值电流：	160 A
元件数量：	1	端子数量：	2
最大通态电流：	10000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	16 A	重复峰值关态漏电流最大值：	10 µA
断态重复峰值电压：	400 V	重复峰值反向电压：	400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

USF10G48 数据手册

SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48

TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48

MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS

l Repetitive Peak Off−State Voltage : V

l Repetitive Peak Reverse Voltage : V

= 400,600V

= 10A

DRM

RRM

l Average On−State Current

l Gate Trigger Current

: I

T (AV)

= 10mA MAX.

Unit: mm

SF10G48·SF10J48

USF10G48·USF10J48

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

JEDEC

JEITA

TOSHIBA

―

13−10J1B

13−10J2B

Weight: 1.7g

MARKING

F10G48

F10J48

SF10G48, USF10G48

ASF10J48, USF10J48

TYPE

MARK

NAME

2001-07-10

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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