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USF10J48

更新时间: 2024-02-22 17:05:27
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东芝 - TOSHIBA 局域网
页数 文件大小 规格书
6页 233K
描述
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE

USF10J48 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred包装说明:LEAD FREE, 13-10J2B, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2外壳连接:ANODE
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:10 mA
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:16 A断态重复峰值电压:600 V
重复峰值反向电压:600 V表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

USF10J48 数据手册

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SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48  
TOSHIBA THYRISTOR SILICON PLANAR TYPE  
SF10G48,SF10J48,USF10G48,USF10J48  
MEDIUM POWER CONTROL APPLICATIONS  
l Repetitive Peak OffState Voltage : V  
l Repetitive Peak Reverse Voltage : V  
= 400,600V  
= 400,600V  
= 10A  
DRM  
RRM  
l Average OnState Current  
l Gate Trigger Current  
: I  
: I  
T (AV)  
GT  
= 10mA MAX.  
Unit: mm  
SF10G48·SF10J48  
USF10G48·USF10J48  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
JEDEC  
JEITA  
TOSHIBA  
1310J1B  
1310J2B  
Weight: 1.7g  
MARKING  
F10G48  
F10J48  
SF10G48, USF10G48  
ASF10J48, USF10J48  
TYPE  
*1  
*2  
MARK  
NAME  
1
2001-07-10  

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