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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.78 | 最长访问时间： | 0.45 ns |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B165 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 15 mm | 内存密度： | 37748736 bit |
| 内存集成电路类型： | QDR SRAM | 内存宽度： | 9 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 165 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX9 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.51 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 13 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| UPD44325092F5-E40Y-EQ2 | NEC | QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44325092F5-E40Y-EQ2-A | NEC | QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44325092F5-E50-EQ2 | NEC | 36M-BIT QDRII SRAM 2-WORD BURST OPERATION |
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| UPD44325092F5-E50-EQ2-A | NEC | QDR SRAM, 4MX9, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44325094BF5-E33-FQ1 | RENESAS | 4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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| UPD44325094BF5-E33Y-FQ1 | RENESAS | 4MX9 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, PLASTIC, BGA-165 |
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