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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 1 week | 风险等级： | 5.77 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 12.1 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0186 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 88 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA2754GR-E2 | RENESAS |
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UPA2754GR-E2 |
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| UPA2754GR-E2-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,11A I(D),SO |
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| UPA2755GR | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UPA2756GR | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UPA2756GR-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SO |
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| UPA2756GR-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SO |
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| UPA2756GR-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SO |
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| UPA2756GR-E2-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,4A I(D),SO |
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| UPA2756GR-E2-AT | RENESAS |
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Power MOSFETs for Automotive, SOP, / |
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| UPA2757GR | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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