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UN4123

更新时间： 2024-01-15 05:57:24

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松下 - PANASONIC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	86K
描述
Silicon PNP epitaxial planer transistor

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UN4123 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz

UN4123 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UN4121/4122/4123/4124/412X/412Y

Silicon PNP epitaxial planer transistor

For digital circuits

Unit: mm

4.0±0.2

Features

■

●

Costs can be reduced through downsizing of the equipment and

reduction of the number of parts.

●

New S type package, allowing supply with the radial taping.

Resistance by Part Number

■

marking

(R₁)

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

(R₂)

●

UN4121

UN4122

UN4123

UN4124

UN412X

UN412Y

2.2kΩ

4.7kΩ

10kΩ

5.0kΩ

4.6kΩ

1.27 1.27

2.54±0.15

2.2kΩ

0.27kΩ

3.1kΩ

1 : Emitter

2 : Collector

3 : Base

New S Type Package

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Ratings

–50

Unit

Internal Connection

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Collector current

–50

–500

˚C

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_T

300

T_j

150

T_stg

–55 to +150

˚C

12 3 4 5 6

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