Datasheet > ULN2003AIDRG4

ULN2003AIDRG4

更新时间： 2024-02-20 11:28:59

品牌	Logo	应用领域
德州仪器 - TI		晶体晶体管达林顿晶体管
页数	文件大小	规格书
26页	858K
描述
HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS

阅读下载

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

ULN2003AIDRG4 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.62
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	COMPLEX
JEDEC-95代码：	MS-012AC	JESD-30 代码：	R-PDSO-G16
JESD-609代码：	e4	湿度敏感等级：	1
元件数量：	7	端子数量：	16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

ULN2002A, ULN2003A, ULN2003AI, ULN2004A

ULQ2003A, ULQ2004A

www.ti.com

SLRS027J –DECEMBER 1976–REVISED JUNE 2010

SCHEMATICS (EACH DARLINGTON PAIR)

10.5 kW

7.2 kW

3 kW

ULN2002A

ULN/ULQ2003A: R = 2.7 kW

ULN2003AI: R = 2.7 kW

7.2 kW

3 kW

ULN/ULQ2004A: R = 10.5 kW

ULN2003A, ULN2003AI, ULN2004A, ULQ2003A, ULQ2004A

All resistor values shown are nominal.

The collector-emitter diode is a parasitic structure and should not be used to conduct current. If the collector(s) go

below ground an external Schottky diode should be added to clamp negative undershoots.

Submit Documentation Feedback

Product Folder Link(s): ULN2002A ULN2003A ULN2003AI ULN2004A ULQ2003A ULQ2004A

1 234 5 6 7...26

下载PDF

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ULN2003AIN	TI	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY	获取价格
ULN2003AINE4	TI	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY	获取价格
ULN2003AINSR	TI	50-V, 7-ch darlington transistor array, -40 to 105C 16-SO -40 to 105	获取价格
ULN2003AIPW	TI	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY	获取价格
ULN2003AIPWE4	TI	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY	获取价格
ULN2003AIPWG4	TI	HIGH-VOLTAGE, HIGH-CURRENT DARLINGTON TRANSISTOR ARRAYS	获取价格