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UG2F-E3/54

更新时间： 2024-01-25 06:38:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 功效二极管
页数 文件大小 规格书
4页 69K
描述
DIODE 2 A, 300 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AC, 2 PIN, Rectifier Diode

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UG2F-E3/54 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-204
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.14
其他特性：FREE WHEELING DIODE应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.02 VJEDEC-95代码：DO-15
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：300 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

UG2F-E3/54 数据手册

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New Product  
UG2F, UG2G  
Vishay General Semiconductor  
Ultrafast Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast reverse recovery time  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
DO-204AC (DO-15)  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in high frequency rectification and freewheeling  
application in switching mode converters and inverters for  
consumer, computer and telecommunication.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
2.0 A  
VRRM  
IFSM  
300 V, 400 V  
50 A  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-204AC (DO-15)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS compliant, commercial grade  
trr  
35 ns  
VF at IF = 2.0 A  
TJ max.  
0.910 V  
150 °C  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
UG2F  
UG2G  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
300  
400  
V
Maximum average forward rectified current  
at 0.375" (9.5 mm) lead length (fig. 1)  
IF(AV)  
2.0  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
IFSM  
50  
A
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
SYMBOL  
TYP.  
0.921  
1.016  
0.772  
0.910  
1.8  
MAX.  
-
UNIT  
IF = 1.0 A  
TJ = 25 °C  
IF = 2.0 A  
IF = 1.0 A  
IF = 2.0 A  
1.10  
-
(1)  
Instantaneous forward voltage  
VF  
V
TJ = 125 °C  
1.02  
10  
TJ = 25 °C  
(2)  
Maximum reverse current  
Rated VR  
IR  
μA  
ns  
TJ = 100 °C  
108  
200  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A,  
rr = 0.25 A  
Maximum reverse recovery time  
trr  
23  
35  
I
Typical reverse recovery time  
Typical reverse recovery current  
Typical stored charge  
trr  
31  
1.7  
29  
10  
-
-
-
-
ns  
A
IF = 1.0 A, dI/dt = 100 A/μs,  
VR = 30 V, Irr = 0.1 IRM  
IRM  
Qrr  
CJ  
nC  
pF  
Typical junction capacitance  
4.0 V, 1 MHz  
Notes  
(1)  
(2)  
Pulse test: 300 μs pulse width, 1 % duty cycle  
Pulse test: Pulse width ≤ 40 ms  
Document Number: 88995  
Revision: 23-Oct-09  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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