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UG10BCTBHE3/81

更新时间： 2024-02-18 06:15:50
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网功效二极管
页数 文件大小 规格书
5页 153K
描述
DIODE 5 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3, Rectifier Diode

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UG10BCTBHE3/81 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.62
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY应用：EFFICIENCY
外壳连接：CATHODE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：55 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V最大反向恢复时间：0.025 µs
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

UG10BCTBHE3/81 数据手册

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BYQ28E(F,B)-100 thru BYQ28E(F,B)-200, UG(F,B)10BCT  
Vishay General Semiconductor  
Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier  
FEATURES  
ITO-220AB  
TO-220AB  
• Glass passivated chip junction  
• Ultrafast recovery times  
• Soft recovery characteristics  
• Low switching losses, high efficiency  
• High forward surge capability  
3
3
2
2
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 245 °C (for TO-263AB package)  
1
1
BYQ28E & UG10  
BYQ28EF & UGF10  
PIN 1  
PIN 1  
PIN 2  
PIN 2  
• Solder dip 260 °C, 40 s (for TO-220AB and  
ITO-220AB package)  
CASE  
PIN 3  
PIN 3  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
TO-263AB  
K
TYPICAL APPLICATIONS  
2
For use in low voltage, high frequency rectifier of  
switching power supplies, freewheeling diodes,  
dc-to-dc converters and polarity protection application.  
1
BYQ28EB & UGB10  
PIN 1  
K
MECHANICAL DATA  
PIN 2  
HEATSINK  
Case: TO-220AB, ITO-220AB, TO-263AB  
Epoxy meets UL 94V-0 flammability rating  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
E3 suffix for consumer grade, meets JESD 201 class  
1A whisker test, HE3 suffix for high reliability grade  
(AEC Q101 qualified), meets JESD 201 class 2  
whisker test  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
5 A x 2  
100 V, 150 V, 200 V  
55 A  
25 ns  
VF  
0.895 V  
TJ max.  
150 °C  
Polarity: As marked  
Mounting Torque: 10 in-lbs maximum  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
C
UG10BCT  
UG10CCT  
UG10DCT  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT  
BYQ28E-100 BYQ28E-150 BYQ28E-200  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Working peak reverse voltage  
VRRM  
VRWM  
VDC  
100  
100  
100  
150  
150  
150  
200  
200  
200  
V
V
V
Maximum DC blocking voltage  
total device  
per diode  
10  
5
Maximum average forward rectified current at TC = 100 °C  
IF(AV)  
A
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load per diode  
IFSM  
IRSM  
55  
A
A
Non-repetitive peak reverse current per diode at tp = 100 µs  
0.2  
8
Electrostatic discharge capacitor voltage,  
human body model: C = 250 pF, R = 1.5 kΩ  
VC  
kV  
°C  
V
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
VAC  
- 40 to + 150  
1500  
Isolation voltage (ITO-220AB only)  
from terminal to heatsink t = 1 min  
Document Number: 88549  
Revision: 07-Jan-08  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
PDD-Americas@vishay.com, PDD-Asia@vishay.com, PDD-Europe@vishay.com  
www.vishay.com  
1
12345

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