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UFCX596

更新时间： 2024-09-27 19:03:11
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捷特科 - ZETEX /
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1页 21K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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UFCX596 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.36外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：0.3 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：200 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzVCEsat-Max：0.35 V
Base Number Matches：1

UFCX596 数据手册

  
SOT89 PNP SILICON PLANAR  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
FCX596  
ISSUE 3 - NOVEMBER 1995  
✪
D
PARTMARKING DETAIL – P96  
S
D
G
SOT89  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.  
PARAMETER  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICM  
VALUE  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-220  
-200  
V
-5  
V
Peak Pulse Current  
-1  
-0.3  
A
Continuous Collector Current  
Base Current  
IC  
A
IB  
-200  
mA  
W
°C  
Power Dissipation at Tamb=25°C  
Ptot  
1
Operating and Storage Temperature Range  
Tj:Tstg  
-65 to +150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T  
= 25°C).  
amb  
PARAMETER  
SYMBOL MIN. MAX. UNITCONDITIONS.  
Collector-Base Breakdown Voltage  
V(BR)CBO -220  
V
V
V
IC=-100µA  
IC=-10mA*  
IE=-100µA  
Collector-Emitter Breakdown Voltage V(BR)CEO -200  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-Off Current  
V(BR)EBO -5  
ICBO  
-100 nA VCB=-200V  
-100 nA VEB=-4V  
-100 nA VCES=-200V  
Emitter Cut-Off Current  
IEBO  
Collector-Emitter Cut-Off Current  
ICES  
Saturation  
Voltages  
VCE(sat)  
-0.2  
-0.35  
V
V
IC=-100mA,IB=-10mA  
IC=-250mA IB=-25mA*  
VBE(sat)  
VBE(on)  
-1.0  
-0.9  
V
V
IC=-250mA,IB=-25mA*  
IC=-250mA,VCE=-10V*  
Base-Emitter Turn-on Voltage  
Static Forward Current Transfer Ratio hFE  
100  
100  
85  
IC=-1mA, VCE=-10V  
IC=-100mA,VCE=-10V*  
IC=-250mA,VCE=-10V*  
IC=-400mA,VCE=-10V,  
300  
35  
Transition Frequency  
Output Capacitance  
fT  
150  
MHz IC=-50mA, VCE=-10V  
f=100MHz  
Cobo  
10  
pF VCB=-10V, f=1MHz  
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%  
For typical Characteristics graphs see FMMT596 datasheet.  
3 - 95  
1

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