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UDZ808

更新时间: 2024-09-29 18:02:19
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 124K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 10%, 3W

UDZ808 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.88
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:4 Ω
JESD-609代码:e0最高工作温度:175 °C
最大功率耗散:3 W标称参考电压:8.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)最大电压容差:10%
工作测试电流:75 mABase Number Matches:1

UDZ808 数据手册

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