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UDZ836

更新时间: 2024-09-30 18:04:55
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NJSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 134K
描述
36V, 3W, SILICON, BIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

UDZ836 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.8
外壳连接:ISOLATED配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:2
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:3 W
标称参考电压:36 V表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:10%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

UDZ836 数据手册

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