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UBS250FTA

更新时间： 2024-01-07 02:02:11

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捷特科 - ZETEX		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	106K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.09A I(D), 45V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN

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技术参数
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UBS250FTA 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT-23
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	45 V
最大漏极电流 (ID)：	0.09 A	最大漏源导通电阻：	14 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UBS250FTA 数据手册

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT

BS250F

MODE VERTICAL DMOS FET

ISSUE 3 - JANUARY 1996

PARTMARKING DETAIL MX

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

-45

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

I_D

Continuous Drain Current at T_amb=25°C

Pulsed Drain Current

-90

I_DM

-1.6

Gate Source Voltage

V_GS

P_tot

T_j:T_stg

± 20

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

330

°C

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Drain-Source

Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS(th)

-45

-1

-70

I_D=-100µA, V_GS=0V

Gate-Source Threshold

Voltage

-3.5

I_D=-1mA, V_DS= V_GS

Gate-Body Leakage

I_GSS

I_DSS

-20

V_GS=-15V, V_DS=0V

V_DS=-25V, V_GS=0V

Zero Gate Voltage Drain

Current

-0.5.

µA

Static Drain-Source On-State R_DS(on)

Resistance (1)

V_GS=-10V,I_D=-200mA

Ω

Forward Transconductance

(1)(2)

g_fs

mS V_DS=-10V,I_D=-200mA

Input Capacitance (2)

C_iss

V_DS=-10V, V_GS=0V,

f=1MHz

Turn-On Delay Time (2)(3)

Rise Time (2)(3)

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈-25V, I_D=-200mA

Turn-Off Delay Time (2)(3)

Fall Time (2)(3)

(1) Measured under pulsed conditions. Width=300µs. Duty cycle ≤2% (2) Sample test.

(3) Switching times measured with 50Ω source impedance and <5ns rise time on a pulse generator

Spice parameter data is available upon request for this device

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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