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UBS107P

更新时间： 2024-02-18 06:54:34

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美台 - DIODES		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	20K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.12A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

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UBS107P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.05	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	0.12 A
最大漏源导通电阻：	23 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSIP-W3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	200 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UBS107P 数据手册

N-CHANNEL ENHANCEMENT

MODE VERTICAL DMOS FET

BS107P

ISSUE 2 – SEPT 93

FEATURES

200 Volt V_DS

R_DS(on)=23Ω

REFER TO BS107PT FOR GRAPHS

E-Line

TO92 Com patible

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

VALUE

UNIT

Drain-Source Voltage

200

0.12

Continuous Drain Current at T

=25°C

am b

Pulsed Drain Current

Gate-Source Voltage

±20

Power Dissipation at T

=25°C

500

m W

°C

am b

tot

Operating and Storage Tem perature Range

T :T

-55 to +150

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C)

am b

PARAMETER

SYMBOL MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

CONDITIONS.

I =100µA, V =0V

Drain-Source

Breakdown Voltage

200

230

DSS

Gate Body Leakage

Drain Cut-Off Current

µA

VGS=15V, V =0V

GSS

=0V, V =130V

DSS

GS DS

=0.2V, V =70V

DSX

GS DS

Static Drain-Source

on-State Resistance

=2.6V, I =25m A*

=5V, I =100m A*

Ω

DS(on)

GS D

* Measured under pulsed conditions. Pulse width=300µs. Duty cycle ≤ 2%

3-23

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