Datasheet > U632H64SK45G1

U632H64SK45G1

更新时间： 2024-01-18 00:06:13

品牌	Logo	应用领域
SIMTEK		静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
15页	229K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDSO28, 0.330 INCH, GREEN, SOP1-28

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

U632H64SK45G1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SOP, SOP28,.5	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.61
最长访问时间：	45 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e3	长度：	18.1 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP28,.5
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	2.54 mm	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8.75 mm

U632H64SK45G1 数据手册

U632H64

Recommended

Symbol

Conditions

Min.

Max.

Unit

Operating Conditions

Power Supply Voltage^b

Input Low Voltage

V_CC

V_IL

4.5

-0.3

2.2

5.5

0.8

-2 V at Pulse Width

10 ns permitted

Input High Voltage

V_IH

V_CC+0.3

C-Type

K-Type

DC Characteristics

Symbol

Conditions

Unit

Min. Max. Min. Max.

Operating Supply Current^c

I_CC1

V_CC

V_IL

= 5.5 V

= 0.8 V

= 2.2 V

V_IH

t_c

= 25 ns

= 35 ns

= 45 ns

Average Supply Current during

STORE^c

I_CC2

V_CC

= 5.5 V

≤ 0.2 V

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

V_IL

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

Average Supply Current during

I_CC4

= 4.5 V

PowerStore Cycle

= 0.2 V

≥ V_CC-0.2 V

Standby Supply Current^d

(Cycling TTL Input Levels)

I_CC(SB)1

V_CC

= 5.5 V

= V_IH

t_c

= 25 ns

= 35 ns

= 45 ns

Operating Supply Current

at t_cR= 200 ns^c

I_CC3

V_CC

= 5.5 V

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

(Cycling CMOS Input Levels)

V_IL

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

Standby Supply Current^d

I_CC(SB)

V_CC

= 5.5 V

(Stable CMOS Input Levels)

≥ V_CC-0.2 V

≤ 0.2 V

V_IL

V_IH

≥ V_CC-0.2 V

b: V_CCreference levels throughout this datasheet refer to V_CCXif that is where the power supply connection is made, or V_CAPif V_CCXis con-

nected to ground.

I_CC1and I_CC3are depedent on output loading and cycle rate. The specified values are obtained with outputs unloaded.

The current I_CC1is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.

_CC2is the average current required for the duration of the STORE cycle (STORE Cycle Time).

d: Bringing E ≥ V_IHwill not produce standby current levels until any nonvolatile cycle in progress has timed out. See MODE SELECTION

table. The current I_CC(SB)1is measured for WRITE/READ - ratio of 1/2.

April 7, 2005

1 234 5 6 7...15

下载PDF

与U632H64SK45G1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
U633H04BD1C25	CYPRESS	Non-Volatile SRAM, 512X8, 25ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
U633H04BD1C45	CYPRESS	512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
U633H04BD1C45G1	CYPRESS	512X8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
U633H04BD1K25	CYPRESS	512X8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
U633H04BD1K25G1	CYPRESS	512X8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格
U633H04BD1K45	CYPRESS	Non-Volatile SRAM, 512X8, 45ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

U632H64SK45G1

U632H64SK45G1 技术参数

U632H64SK45G1 数据手册

与U632H64SK45G1相关器件

与U632H64SK45G1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

U632H64SK45G1

U632H64SK45G1 技术参数

U632H64SK45G1 数据手册

与U632H64SK45G1相关器件

与U632H64SK45G1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？