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TYN612MRG

更新时间： 2024-02-17 22:15:00
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
7页 77K
描述
Suitable to Fit modes of control found in Applications such as Voltage regulation Circuits for Motorbikes

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TYN612MRG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.48
外壳连接：ANODE配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：40 V/us最大直流栅极触发电流：5 mA
最大直流栅极触发电压：1.3 V最大维持电流：20 mA
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3最大漏电流：2 mA
通态非重复峰值电流：125 A元件数量：1
端子数量：3最大通态电流：8000 A
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：12 A
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

TYN612MRG 数据手册

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TYN612M  
®
12A SCR  
Table 1: Main Features  
Symbol  
A
K
Value  
Unit  
IT(RMS)  
12  
A
G
VDRM/VRRM  
600  
V
IGT (min./max.)  
1.5 / 5  
mA  
A
DESCRIPTION  
G
A
G
The TYN612M SCR is suitable to fit modes of  
control found in applications such as voltage  
regulation circuits for motorbikes, overvoltage  
crowbar protection, motor control circuits in power  
tools and kitchen aids, inrush current limiting  
circuits, capacitive discharge ignition.  
A
K
K
TO-220FPAB  
(TYN612MFP)  
TO-220AB  
(TYN612MRG)  
Table 2: Order Codes  
Part Number  
The insulated fullpack package allows a back to  
back configuration.  
Marking  
TYN612M  
TYN612MRG  
TYN612MFP  
TYN612MFP  
Table 3: Absolute Ratings (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
12  
Unit  
IT(RMS)  
TO-220AB  
Tc = 105°C  
RMS on-state current  
(180° conduction angle)  
A
TO-220FPAB Tc = 70°C  
12  
IT(AV)  
TO-220AB  
Tc = 105°C  
8
Average on-state current  
(180° conduction angle)  
A
A
TO-220FPAB Tc = 70°C  
8
tp = 8.3 ms  
Tj = 25°C  
125  
120  
72  
Non repetitive surge peak on-state  
current  
ITSM  
tp = 10 ms  
²
²
²
tp = 10 ms  
F = 60 Hz  
tp = 20 µs  
Tj = 25°C  
I t  
I t Value for fusing  
A S  
Critical rate of rise of on-state cur-  
rent IG = 2 x IGT , tr ≤ 100 ns  
dI/dt  
Tj = 125°C  
50  
A/µs  
IGM  
Peak gate current  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
1
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
W
Tstg  
Tj  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
°C  
V
VRGM  
Maximum peak reverse gate voltage  
5
February 2005  
REV. 2  
1/7  
1234567

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