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TYN625 PDF预览

TYN625

更新时间： 2024-11-04 12:47:15
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅整流器局域网
页数 文件大小 规格书
7页 95K
描述
25A SCRs

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TYN625 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：PLASTIC PACKAGE-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.14Is Samacsys：N
外壳连接：ANODE标称电路换相断开时间：70 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us
最大直流栅极触发电流：40 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：50 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
最大漏电流：2.5 mA通态非重复峰值电流：315 A
元件数量：1端子数量：3
最大通态电流：16000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：25 A重复峰值关态漏电流最大值：10 µA
断态重复峰值电压：600 V重复峰值反向电压：600 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

TYN625 数据手册

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TN25 and TYNx25 Series  
®
STANDARD  
25A SCRs  
MAIN FEATURES:  
Symbol  
A
Value  
25  
Unit  
A
G
I
T(RMS)  
K
V
/V  
600 to 1000  
40  
V
DRM RRM  
A
A
I
mA  
GT  
K
A
G
K
A
G
DESCRIPTION  
2
D PAK  
(TN25-G)  
TO-220AB  
(TYN)  
The TYN / TN25 SCR Series is suitable for  
general purpose applications.  
Using clip assembly technology, they provide a  
superior performance in surge current capabilities.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
I
RMS on-state current (180° conduction angle)  
T(RMS)  
Tc = 100°C  
Tc = 100°C  
25  
16  
A
A
T
Average on-state current (180° conduction angle)  
(AV)  
I
Non repetitive surge peak on-state  
current  
tp = 8.3 ms  
tp = 10 ms  
314  
300  
TSM  
Tj = 25°C  
A
²
²
2
tp = 10 ms  
F = 60 Hz  
tp = 20 µs  
Tj = 25°C  
450  
50  
A S  
I t  
I t Value for fusing  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
Tj = 125°C  
A/µs  
I
= 2 x I , tr ≤ 100 ns  
G
GT  
I
Peak gate current  
Tj = 125°C  
Tj = 125°C  
4
1
A
GM  
P
Average gate power dissipation  
W
G(AV)  
T
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
stg  
°C  
V
Tj  
V
Maximum peak reverse gate voltage  
5
RGM  
April 2002 - Ed: 4A  
1/7  
1234567

中文翻译

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TYN625 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
S6025RTP LITTELFUSE

功能相似

 Silicon Controlled Rectifier, 25A I(T)RMS, 16000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Eleme

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