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Datasheet > 光电 > 红外 LED> TSMF3710-GS08
TSMF3710-GS08 PDF预览

TSMF3710-GS08

更新时间： 2024-10-03 06:02:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 半导体红外LED光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double Hetero

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TSMF3710-GS08 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：N最大正向电流：0.1 A
最大正向电压：1.8 VJESD-609代码：e3
安装特点：SURFACE MOUNT最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C峰值波长：870 nm
最大反向电压：5 V半导体材料：GaAlAs
光谱带宽：4e-8 m子类别：Infrared LEDs
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
视角：120 degBase Number Matches：1

TSMF3710-GS08 数据手册

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TSMF3710  
Vishay Semiconductors  
High Speed Infrared Emitting Diode, 870 nm, GaAlAs Double  
Hetero  
Description  
TSMF3710 is a high speed infrared emitting diode in  
GaAlAs double hetero (DH) technology in a miniature  
PLCC-2 SMD package.  
DH technology combines high speed with high radiant  
power at wavelength of 870 nm.  
Features  
• High radiant power  
94 8553  
• High speed t = 30 ns  
r
• High modulation band width f = 12 MHz  
c
e3  
• Peak wavelength λ = 870 nm  
p
• High reliability  
• Low forward voltage  
• Suitable for high pulse current application  
• Wide angle of half intensity  
Applications  
• High speed IR data transmission  
• High power emitter for low space applications  
• Compatible with automatic placement equipment  
• EIA and ICE standard package  
• High performance transmissive or reflective sen-  
sors  
• Suitable for infrared, vapor phase and wavesolder  
process  
• 8mm tape and reel standard: GS08 or GS18  
• Lead (Pb)-free component  
• Component in accordance to RoHS 2002/95/EC  
and WEEE 2002/96/EC  
Parts Table  
Part  
Ordering code  
Remarks  
MOQ: 7500 pc  
TSMF3710-GS08  
TSMF3710-GS18  
TSMF3710-GS08  
TSMF3710-GS18  
MOQ: 8000 pc  
Absolute Maximum Ratings  
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified  
Parameter  
Reverse voltage  
Test condition  
Symbol  
VR  
Value  
5
Unit  
V
Forward current  
IF  
IFM  
IFSM  
PV  
100  
200  
mA  
mA  
A
Peak forward current  
Surge forward current  
Power dissipation  
tp/T = 0.5, tp = 100 µs  
tp = 100 µs  
1
170  
mW  
°C  
Junction temperature  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
Soldering temperature  
Tj  
100  
Tamb  
Tstg  
Tsd  
- 40 to + 85  
- 40 to + 100  
260  
°C  
°C  
t ≤ 10 sec  
°C  
Thermal resistance junction/  
ambient  
RthJA  
450  
K/W  
Document Number 81088  
Rev. 1.3, 21-Feb-07  
www.vishay.com  
1
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TSMF3710-GS18 VISHAY

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