TPSM828510, TPSM828511, TPSM828512
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ZHCSR26 –NOVEMBER 2023
6.5 电气特性(续)
在工作结温范围内(TJ =-40°C 至+125°C)且VIN = 2.7V 至6V。VIN = 5V 且TJ = 25°C 时的典型值。(除非另有说明)
参数
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
OVP 电源正常阈值电压;
直流电平
107
110
113
%
上升(%VFB
下降(%VFB
)
)
VTH_PG
OVP 电源正常阈值电压;
直流电平
104
107
111
%
VPG,OL
IPG,LKG
ISINK_PG = 2mA
VPG = 5V
0.07
0.3
V
PG 上的低电平输出电压
流入PG 的输入漏电流
100
nA
对于电源正常输出上从高电平到低电平的
转换
tPG
40
µs
PG 抗尖峰脉冲时间
输出
VFB
0.6
1
V
nA
%
反馈电压,可调版本
IFB,LKG
VFB
VFB = 0.6V
70
1
流入FB 的输入漏电流,可调版本
反馈电压精度
-1
-1
PWM,VIN ≥VOUT + 1V
PFM,VIN ≥VOUT + 1V,VOUT ≥1.0V,
VFB
2
%
%
反馈电压精度
反馈电压精度
C
o,eff ≥10µF
PFM,VIN ≥VOUT + 1V,VOUT < 1.0V,
o,eff ≥15µF
VFB
VFB
-1
-4
3
4
C
%
VIN ≥VOUT + 1V,VSS/TR = 0.3V
PWM
反馈电压精度与电压跟踪
负载调整率
0.05
0.02
%/A
%/V
PWM,IOUT = 1A,VIN ≥VOUT + 1V
线性调整率
RDIS
fSW
ton,min
ton,min
100
2.475
52
输出放电电阻
Ω
2.025
2.25
35
MHz
PWM 开关频率
ns
ns
高侧FET 的最短导通时间
低侧FET 的最短导通时间
VIN = 3.3V,TJ = -40°C 至125°C
VIN ≥5V
10
RDP
85
3.4
2.6
120
3.9
3.0
2.5
mΩ
A
压降电阻
直流值,适用于TPSM828512;
VIN = 3V 至6V
ILIMH
2.85
2.1
高侧FET 开关电流限制
高侧FET 开关电流限制
直流值,适用于TPSM828511;
VIN = 3V 至6V
ILIMH
A
直流值,适用于TPSM828510;
VIN = 3V 至6V
ILIMH
1.6
2.1
A
A
高侧FET 开关电流限制
低侧FET 负电流限制
ILIMNEG
-1.8
直流值
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English Data Sheet: SLUSF35