是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | LEAD FREE, 0-7B1, 2 PIN | Reach Compliance Code: | unknown |
HTS代码: | 8541.40.60.50 | 风险等级: | 5.55 |
其他特性: | HIGH SENSITIVITY | 配置: | SINGLE |
最大暗电源: | 30 nA | 红外线范围: | YES |
标称光电流: | 0.0009 mA | 安装特点: | THROUGH HOLE MOUNT |
功能数量: | 1 | 最高工作温度: | 60 °C |
最低工作温度: | -30 °C | 光电设备类型: | PIN PHOTODIODE |
峰值波长: | 1000 nm | 最长响应时间: | 1e-7 s |
最小反向击穿电压: | 20 V | 最大反向电压: | 20 V |
半导体材料: | Silicon | 形状: | RECTANGULAR |
尺寸: | 7.6 mm | 子类别: | Photo Diodes |
表面贴装: | NO | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPS705 | TOSHIBA |
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PHOTO DIODE SILICON PIN |
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TPS705(F) | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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TPS706 | TOSHIBA |
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PHOTO DIODE SILICON PIN |
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TPS706 | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 |
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TPS70612DBVR | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DBV | 5 | |
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TPS70612DBVT | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DBV | 5 | |
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TPS70612DRVR | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DRV | 6 | |
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TPS70612DRVT | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DRV | 6 | |
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TPS70615DBVR | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DBV | 5 | |
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TPS70615DBVT | TI |
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具有反向电流保护和使能功能的 150mA、超低 IQ、低压降稳压器 | DBV | 5 | |
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