TPC8121

更新时间： 2024-10-01 08:40:07

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	183K
描述
Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS V)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TPC8121 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.35
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.024 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TPC8121 数据手册

TPC8121

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS V)

TPC8121

Notebook PC Applications

Unit: mm

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

•

Small footprint due to small and thin package

Low drain-source ON-resistance: R = 8.0 mΩ (typ.)

DS (ON)

High forward transfer admittance: |Y | = 23 S (typ.)

Low leakage current: I

= −10 μA (max) (V

= −30 V)

DSS

Enhancement mode: V = −0.8 to −2.0 V (V

= −10 V, I = −1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Drain-source voltage

Symbol

Rating

Unit

JEDEC

JEITA

⎯

−30

±20

−11

−44

DSS

Drain-gate voltage (R

Gate-source voltage

= 20 kΩ)

DGR

TOSHIBA

2-6J1B

GSS

Weight: 0.080 g (typ.)

(Note 1)

Drain current

Pulse (Note 1)

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2a)

1.9

1.0

Circuit Configuration

Drain power dissipation (t = 10 s)

(Note 2b)

Single pulse avalanche energy

(Note 3)

−11

Avalanche current

Repetitive avalanche energy

0.030

(Note 2a) (Note 4)

Channel temperature

150

°C

Storage temperature range

−55 to 150

stg

Note: Note 1, Note 2, Note 3 and Note 4: See the next page.

Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if

the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/ “Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.

2009-09-29

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与TPC8121相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TPC8122	TOSHIBA	获取价格	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS
TPC8123	TOSHIBA	获取价格	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS
TPC8124	TOSHIBA	获取价格	Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS
TPC8124(TE12L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,40V V(BR)DSS,12A I(D),SO
TPC8124(TE12L,Q)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,40V V(BR)DSS,12A I(D),SO
TPC8124(TE12L,V,M)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
TPC8124(TE12LVM)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor
TPC8125	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications
TPC8125,LQ(S	TOSHIBA	获取价格	Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOP
TPC8126	TOSHIBA	获取价格	Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications

与TPC8121相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

28
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPC8121

TPC8121 技术参数

TPC8121 数据手册

与TPC8121相关器件

与TPC8121相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

TPC8121

TPC8121 技术参数

TPC8121 数据手册

与TPC8121相关器件

与TPC8121相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？