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TPA60R360MFD

更新时间： 2024-04-09 18:59:09

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		电子
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10页	664K
描述
Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction MOSFET)是种新型功率器件，无锡紫光微电子限公司在国内率先推出成熟的Multi-EPI超结功率MOSF

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TPA60R360MFD 数据手册

TPA60R360MFD,TPD60R360MFD

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd

Absolute Maximum Ratings T_C= 25ºC, unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Value

Unit

T_C= 25ºC

6.6

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

(note1)

I_D,pulse

V_GSS

E_AS

Gate-Source Voltage

±30

210

0.32

1.8

Single Pulse Avalanche Energy

Repetitive Avalanche Energy

Avalanche Current

(note2)

E_AR

I_AR

MOSFET dv/dt Ruggedness, V_DS= 0...480V

Power Dissipation For TO-220F

dv/dt

V/ns

P_D

Power Dissipation For TO-252

Continuous Diode Forward Current

Diode Pulsed Current

I_S

(note1)

(note3)

I_S,pulse

dv/dt

di_f/dt

Reverse Diode dv/dt

V/ns

A/μs

ºC

Maximum Diode Commutation Speed

Operating Junction and Storage Temperature Range

900

T_J, T_stg

-55~+150

Thermal Resistance For TO-220F

Parameter

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

ºC/W

Thermal Resistance For TO-252

Parameter

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

R_thJC

R_thJA

1.5

ºC/W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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