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THS4304D PDF预览

THS4304D

更新时间： 2024-01-12 22:29:44
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 运算放大器放大器电路光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
26页 854K
描述
Wideband Operational Amplifier

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THS4304D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MSOP
包装说明：PLASTIC, MSOP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.33.00.01风险等级：5.72
Is Samacsys：N放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER
标称共模抑制比：98 dBJESD-30 代码：S-PDSO-N8
长度：3 mm负供电电压上限：
标称负供电电压 (Vsup)：功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：HVSON封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1 mm标称压摆率：700 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：6.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：NO LEAD
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
标称均一增益带宽：1000000 kHz宽度：3 mm
Base Number Matches：1

THS4304D 数据手册

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THS4304  
www.ti.com  
SLOS436A–MARCH 2004–REVISED JULY 2004  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Specifications: VS = 3 V: RF = 249 Ω, RL = 499 Ω, and G = +2 unless otherwise noted  
TYP  
OVER TEMPERATURE  
TEST  
–40°C  
to  
85°C  
PARAMETER  
CONDITIONS  
LEVEL(1)  
0°C to  
70°C  
MIN/  
MAX  
25°C  
25°C  
UNITS  
AC PERFORMANCE  
G = +1, VO = 100 mVpp  
G = +2, VO = 100 mVpp  
G = +5, VO = 100 mVpp  
G = +10, VO = 100 mVpp  
G >+10  
3
GHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
MHz  
V/µs  
V/µs  
ns  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
Typ  
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
C
900  
190  
83  
Small-Signal Bandwidth  
Gain Bandwidth Product  
Large-Signal Bandwidth  
830  
450  
750  
675  
4.5  
20  
G = +2, VO = 1 VPP  
G = +2, VO = 1-V Step  
G = +2, VO = 1-V Step  
G = –2, VO = 0.5-V Step  
G = –2, VO = 0.5-V Step  
G = +2, VO = 0.5-V Step  
Slew Rate  
Settling Time to 1%  
Settling Time to 0.1%  
Rise / Fall Times  
ns  
1.5  
ns  
Harmonic Distortion  
Second Harmonic Distortion  
G = +2,  
VO = 0.5 VPP  
f = 10 MHz  
–92  
–91  
dBc  
dBc  
Typ  
Typ  
C
C
,
RL = 499 Ω  
Third Harmonic Distortion  
Noise Figure  
G = +2, f = 1 GHz  
f = 1 MHz  
15  
2.4  
2.1  
dB  
Typ  
Typ  
Typ  
C
C
C
Input Voltage Noise  
Input Current Noise  
DC PERFORMANCE  
nV/√Hz  
pA/√Hz  
f = 1 MHz  
Open-Loop Voltage Gain (AOL  
)
VO = ± 0.5 V, VCM = 1.5 V  
49  
2
44  
4
dB  
mV  
Min  
Max  
Typ  
Max  
Typ  
Max  
Typ  
A
A
B
A
B
A
B
Input Offset Voltage  
5
5
5
5
Input Offset Voltage Drift  
Input Bias Current  
µV/°C  
µA  
7
12  
1
18  
50  
1.2  
10  
18  
50  
1.2  
10  
VCM = 1.5 V  
Input Bias Current Drift  
Input Offset Current  
nA/°C  
µA  
0.4  
Input Offset Current Drift  
INPUT CHARACTERISTICS  
nA/°C  
–0.2  
to 3.2  
0.2 to 0.4 to 0.4 to  
Common-Mode Input Range  
V
Min  
A
2.8  
2.6  
2.6  
Common-Mode Rejection Ratio  
Input Resistance  
VO = ± 0.09 V, VCM = 1.5 V  
92  
100  
1.5  
80  
70  
70  
dB  
kΩ  
pF  
Min  
Typ  
Typ  
A
C
C
Each input, referenced to GND  
Input Capacitance  
(1) Test levels: (A) 100% tested at 25°C. Over temperature limits by characterization and simulation. (B) Limits set by characterization and  
simulation. (C) Typical value only for information.  
6
1...3456789...26

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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