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TFZTR12B

更新时间: 2024-01-22 10:26:33
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罗姆 - ROHM 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 2242K
描述
Zener Diode

TFZTR12B 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Active
包装说明:R-PDSO-F2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.79其他特性:HIGH RELIABILITY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:12 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
最大电压容差:2.51%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

TFZTR12B 数据手册

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TFZ12B  
Zener Diode  
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ Data sheet  
ꢀꢀꢀ  
Outline  
P
TUMD2  
500  
mW  
D
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
Inner Circuit  
ꢀ ꢀ  
Feature  
High reliability  
Small mold type  
Application  
Packaging Spification  
P
Voltage regulation  
Embossed Tape  
el Size(m
180  
8
3000  
TR  
Taping Width(mm)  
Basic Ordering Unit(pcs)  
TapingCode  
Structure  
Silicon Epitaxial Planar  
Marking  
BJ  
(T 5)  
Absolute Maximum Rating  
a
Parameter  
Symbol  
Limits  
500  
150  
Unit  
mW  
Power dissipation  
P
D
T
j
T
stg  
Junctiontemperature  
Storagetemperatur
-55 150ꢀ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
www.rohm.com  
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1/6  
2015/06/22_Rev.001  

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