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TE28F002BV-B80

更新时间： 2024-01-21 03:45:34

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
54页	609K
描述
Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

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TE28F002BV-B80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20	针数：	40
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
最长访问时间：	110 ns	其他特性：	CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; BOTTOM BOOT BLOCK
启动块：	BOTTOM	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	耐久性：	10000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码：	R-PDSO-G40	长度：	18.4 mm
内存密度：	2097152 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	1,2,1,1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装等效代码：	TSSOP40,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3.3/5 V
编程电压：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	16K,8K,96K,128K
最大待机电流：	0.000008 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.07 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

TE28F002BV-B80 数据手册

PRELIMINARY

2-MBIT (128K X 16, 256K X 8)

SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH

MEMORY FAMILY

28F200BV-T/B, 28F200CV-T/B, 28F002BV-T/B

Intel SmartVoltage Technology

5V or 12V Program/Erase

Extended Cycling Capability

100,000 Block Erase Cycles

(Commercial Temperature)

10,000 Block Erase Cycles

(Extended Temperature)

3.3V or 5V Read Operation

Increased Programming Throughput

at 12V V_PP

Very High-Performance Read

Automated Word/Byte Program and

Block Erase

5V: 60/80/120 ns Max. Access Time,

30/40 ns Max. Output Enable Time

3V: 110/150/180 ns Max Access

65/90 ns Max. Output Enable Time

Industry-Standard Command User

Interface

Status Registers

Erase Suspend Capability

Low Power Consumption

Max 60 mA Read Current at 5V

Max 30 mA Read Current at

3.3V–3.6V

SRAM-Compatible Write Interface

Automatic Power Savings Feature

1 mA Typical I_CCActive Current in

Static Operation

x8/x16-Selectable Input/Output Bus

28F200 for High Performance 16- or

32-bit CPUs

Reset/Deep Power-Down Input

0.2 µA I_CCTypical

x8-Only Input/Output Architecture

28F002B for Space-Constrained

8-bit Applications

Provides Reset for Boot Operations

Hardware Data Protection Feature

Write Lockout during Power

Transitions

Optimized Array Blocking Architecture

One 16-KB Protected Boot Block

Two 8-KB Parameter Blocks

One 96-KB Main Block

Industry-Standard Surface Mount

Packaging

40-Lead TSOP

44-Lead PSOP: JEDEC ROM

Compatible

One 128-KB Main Block

Top or Bottom Boot Locations

Absolute Hardware-Protection for Boot

Block

48-Lead TSOP

56-Lead TSOP

Software EEPROM Emulation with

Parameter Blocks

Footprint Upgradeable to 4-Mbit and

8-Mbit Boot Block Flash Memories

Extended Temperature Operation

–40°C to +85°C

ETOX™ IV Flash Technology

December 1996

Order Number: 290531-004

12 3 4 5 6 7...54

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