生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | SON, TSSOP40,.8,20 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 5.79 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 80 ns |
其他特性: | BOTTOM BOOT BLOCK | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 数据轮询: | NO |
耐久性: | 100000 Write/Erase Cycles | JESD-30 代码: | R-PDSO-N40 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 1,2,1,3 |
端子数量: | 40 | 字数: | 524288 words |
字数代码: | 512000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 512KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SON |
封装等效代码: | TSSOP40,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 编程电压: | 12 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,8K,96K,128K | 最大待机电流: | 0.00002 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.75 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | MOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TE28F004BX-B90 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
TE28F004BX-T80 | INTEL |
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4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY | |
TE28F004BX-T90 | ETC |
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x8 Flash EEPROM | |
TE28F004S3-150 | INTEL |
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BYTE-WIDE SMART 3 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT | |
TE28F004S5-100 | INTEL |
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BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT | |
TE28F004SC-100 | INTEL |
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BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMI | |
TE28F004SC-170 | NUMONYX |
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Flash, 512KX8, 170ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40 | |
TE28F008 | INTEL |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY | |
TE28F008B3B110 | INTEL |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK 4-, 8-, 16-, 32-MBIT FLASH MEMORY FAMILY | |
TE28F008B3B120 | INTEL |
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SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK BYTE-WIDE |