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TE28F004B3T90

更新时间： 2024-01-11 12:30:23

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
58页	844K
描述
3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory

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TE28F004B3T90 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	10 X 20 MM, TSOP-40
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	90 ns	其他特性：	TOP BOOT BLOCK
启动块：	TOP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	8,7	端子数量：	40
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	512KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8/3.6,3/3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	8K,64K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.055 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

TE28F004B3T90 数据手册

3 Volt Advanced Boot Block Flash

Memory

28F004/400B3, 28F008/800B3, 28F016/160B3, 28F320B3, 28F640B3

Preliminary Datasheet

Product Features

■ Flexible SmartVoltage Technology

—2.7 V–3.6 V Read/Program/Erase

—12 V V_PPFast Production Programming

■ 2.7 V or 1.65 V I/O Option

—Reduces Overall System Power

■ High Performance

■ Intel^®Flash Data Integrator Software

—Flash Memory Manager

—System Interrupt Manager

—Supports Parameter Storage, Streaming

Data (e.g., Voice)

■ Extended Cycling Capability

—Minimum 100,000 Block Erase Cycles

Guaranteed

—2.7 V–3.6 V: 70 ns Max Access Time

■ Optimized Block Sizes

■ Automatic Power Savings Feature

—Typical I_CCSafter Bus Inactivity

■ Standard Surface Mount Packaging

—48-Ball CSP Packages

—Eight 8-KB Blocks for Data,Top or

Bottom Locations

—Up to One Hundred Twenty-Seven 64-

KB Blocks for Code

■ Block Locking

—40- and 48-Lead TSOP Packages

—V_CC-Level Control through WP#

■ Low Power Consumption

—9 mA Typical Read Current

■ Absolute Hardware-Protection

—V_PP= GND Option

■ Density and Footprint Upgradeable for

common package

—4-, 8-, 16-, 32- and 64-Mbit Densities

■ ETOX™ VII (0.18 µ) Flash Technology

—28F160/320/640B3xC

—4-, 8-, 16-, and 32-Mbit also exist on

ETOX™ V (0.4µ) and/or ETOX ™ VI

(0.25µ) Flash Technology

—V_CCLockout Voltage

■ Extended Temperature Operation

—–40 °C to +85 °C

■ x8 not recommended for new designs

■ Automated Program and Block Erase

—Status Registers

■ 4-Mbit density not recommended for new

designs

The 3 Volt Advanced Boot Block flash memory, manufactured on Intel’s latest 0.18 µm

technology, represents a feature-rich solution at overall lower system cost. The 3 Volt Advanced

Boot Block flash memory products in x16 will be available in 48-lead TSOP and 48-ball CSP

packages. The x8 option of this product family will only be available in 40-lead TSOP and 48-

ball µBGA* packages. Additional information on this product family can be obtained by

accessing Intel’s website at: http://www.intel.com/design/flash.

Notice: This document contains preliminary information on new products in production. The

specifications are subject to change without notice. Verify with your local Intel sales office that

you have the latest datasheet before finalizing a design.

Order Number: 290580-012

October 2000

12 3 4 5 6 7...58

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