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TDA1308/N1,112

更新时间： 2024-09-27 06:32:43
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 放大器光电二极管商用集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 576K
描述
TDA1308 - Class-AB stereo headphone driver

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TDA1308/N1,112 技术参数

Source Url Status Check Date：2013-10-15 00:00:00是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DIP
包装说明：0.300 INCH, PLASTIC, MO-001, SOT-97-1, DIP-8针数：8
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
其他特性：IT CAN ALSO OPERATE WITH SINGLE 3V TO 7V SUPPLY标称带宽：20 kHz
商用集成电路类型：AUDIO AMPLIFIER谐波失真：0.1%
JESD-30 代码：R-PDIP-T8长度：9.5 mm
信道数量：2功能数量：1
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C标称输出功率：0.04 W
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP8,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：4.2 mm
子类别：Audio/Video Amplifiers最大压摆率：5 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.5 V最小供电电压 (Vsup)：1.5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

TDA1308/N1,112 数据手册

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TDA1308  
Class-AB stereo headphone driver  
Rev. 5 — 14 March 2011  
Product data sheet  
1. General description  
The TDA1308 is an integrated class-AB stereo headphone driver contained in an SO8 or  
a TSSOP8 plastic package. The device is fabricated in a 1 μm Complementary Metal  
Oxide Semiconductor (CMOS) process and has been primarily developed for portable  
digital audio applications.  
2. Features and benefits  
„ Wide temperature range  
„ No switch ON/OFF clicks  
„ Excellent power supply ripple rejection  
„ Low power consumption  
„ Short-circuit resistant  
„ High performance  
‹ High signal-to-noise ratio  
‹ High slew rate  
‹ Low distortion  
„ Large output voltage swing  
3. Quick reference data  
Table 1.  
Quick reference data  
VDD = 5 V; VSS = 0 V; Tamb = 25 °C; fi = 1 kHz; RL = 32 Ω; unless otherwise specified.  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
single supply  
dual supply  
dual supply  
Min  
3.0  
1.5  
Typ  
5.0  
2.5  
Max Unit  
VDD  
supply voltage  
7.0  
3.5  
V
V
V
VSS  
negative supply  
voltage  
−1.5 −2.5 −3.5  
IDD  
supply current  
no load  
no load  
-
-
3
5
mA  
Ptot  
total power  
dissipation  
15  
25  
mW  
[1]  
[1]  
[1]  
Po  
output power  
maximum; THD+N < 0.1 %  
-
40  
80  
mW  
%
THD+N  
total harmonic  
distortion-plus-noise  
-
0.03 0.06  
-
−70  
−101  
110  
−65  
dB  
dB  
dB  
RL = 5 kΩ  
-
-
-
S/N  
signal-to-noise ratio  
100  
1234567...17

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