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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | CERDIP-40 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.83 |
| 最大时钟频率： | 5 MHz | 外部数据总线宽度： | 8 |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T40 | 长度： | 52.325 mm |
| I/O 线路数量： | 22 | 端口数量： | 3 |
| 端子数量： | 40 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.72 mm | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | NMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型： | PARALLEL IO PORT, GENERAL PURPOSE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TD81F02KCL-A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KCM | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KCM-A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 200V V(RRM) |
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| TD81F02KCM-K | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KDB | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KDC | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KDC-A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KDM | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Elem |
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| TD81F02KDM-K | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 200V V(RRM) |
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| TD81F02KEB-A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 200V V(RRM) |
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