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TD330N14KOC

更新时间： 2025-08-17 18:35:23

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	571K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 330000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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TD330N14KOC 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.83	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	300 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	JESD-609代码：	e3
最大漏电流：	70 mA	通态非重复峰值电流：	9100 A
元件数量：	1	端子数量：	5
最大通态电流：	330000 A	最高工作温度：	135 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	520 A
断态重复峰值电压：	1400 V	重复峰值反向电压：	1400 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TD330N14KOC 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT330N

Phase Control Thyristor Module

TT330N

TD330N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

1200

1300

1400 V

1600 V

V_DRM,V_RRM

1400 V

1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak forward off-state voltage

T_vj= -40°C... T_{vj max}

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_DSM

1500 V

1700 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

V_RSM

520 A

330 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85°C

9100 A

8000 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

414000 A²s

320000 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

250 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

1,44 V

0,80 V

0,60 mΩ

200 mA

2 V

max.

T_vj= T_{vj max}, i_T= 800 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

max.

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,2 V

Haltestrom

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

max.

300 mA

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1200 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

70 mA

3 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

DIN IEC 747-6

gate controlled delay time

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

C.Drilling

date of publication:

revision:

19.01.06

prepared by:

approved by: M. Leifeld

BIP PPE4; 19.01.2006; C. Drilling

A 01/06

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TD330N16AOF	INFINEON	获取价格	Thyristor/Diode 50 mm Power Block 1600 V, 330 A module for phase control with high reliabl
TD330N16KOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N16KOF TIM	INFINEON	获取价格	TIM
TD330N16KOFHPSA2	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N16KOFTIMHPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 520A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element, MODULE-
TD330N16KOF_TIM	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier
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