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TCF20B60

更新时间： 2024-01-04 13:37:09

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NIEC		/
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1页	185K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 20A, 600V V(RRM), Silicon,

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TCF20B60 数据手册

TCF20B60

20A Avg.

600 Volts

FRED

■最大定格 Maximum Ratings

■

OUTLINE DRAWING(mm)

Item

Symbol

V_RRM

I_O

Conditions

600

Unit

く

り

返

し

ピ

ー

ク

逆

電

圧

流

Repetitive Peak Reverse Voltage

平

均

整

流

電

50Hz、正弦全波通電抵抗負荷

50Hz Full Sine Wave Resistive Load

Tc＝74℃

Average Rectified Forward Current

実

効

順

電

I_F(RMS)

22.2

R.M.S. Forward Current

サ

ー

ジ

順

電

50Hz正弦全波，１サイクル，非くり返し

50Hz Full Sine Wave,1cycle, Non-repetitive

I_FSM

120

Surge Forward Current

動

作

接

合

温

度

範

囲

T_jw

－40～＋150

℃

Operating Junction Temperature Range

保

存

温

度範囲

T_stg

℃

Storage Temperature Range

■APPROX. NET WEIGHT:1.4g

■電気的・熱的特性 Electrical/Thermal Characteristics

Item

Symbol

I_RM

Conditions

Min.

－

Typ. Max. Unit

ピ

ー

ク

逆

電

流

圧

一素子あたり

T_j＝25℃, V_RM＝V_RRM

－

1.8

μA

Peak Reverse Current

Per Diode

ピ

ー

ク

順

V_FM

T_j＝25℃, I_FM＝10A, ^{一素子あたり}

－

Per Diode

Peak Forward Voltage

逆

回

復

Reverse Recovery Time

時

間

I_FM＝10A, -di/dt＝50 A/μs, T_j＝25℃

trr

－

熱

抵

抗

接合部･ケース間

Junction to Case

R_th(j-c)

℃/W

Thermal Resistance

■定格・特性曲線

FIG.1

FIG.2

FIG.3

FIG.4

186

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