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Datasheet > TC75S56FE(TPL3,F)
TC75S56FE(TPL3,F) PDF预览

TC75S56FE(TPL3,F)

更新时间： 2024-02-16 19:18:14
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 186K
描述
IC,VOLT COMPARATOR,SINGLE,CMOS,FP,5PIN,PLASTIC

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TC75S56FE(TPL3,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：DFP, FL5/6,.047,20Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.81放大器类型：COMPARATOR
最大输入失调电压：7000 µVJESD-30 代码：R-PDFP-F5
功能数量：1端子数量：5
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DFP
封装等效代码：FL5/6,.047,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK电源：3/5 V
认证状态：Not Qualified标称响应时间：60 ns
子类别：Comparators最大压摆率：0.022 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：FLAT
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

TC75S56FE(TPL3,F) 数据手册

 浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC75S56FE(TPL3,F)的Datasheet PDF文件第7页 
TC75S56F/FU/FE  
Electrical Characteristics (unless otherwise specified, V = 5 V, V = GND, Ta = 25°C)  
DD  
SS  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Input offset voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0
±1  
1
±7  
⎯
⎯
4.1  
22  
⎯
⎯
⎯
0.3  
⎯
7.0  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
mV  
pA  
pA  
V
IO  
Input offset current  
Input bias current  
Common mode input voltage  
Supply current  
I
IO  
I
1
I
CMV  
⎯
IN  
I
(Note)  
⎯
⎯
13  
9
11  
94  
25  
21  
0.1  
4.9  
⎯
μA  
dB  
mA  
mA  
DD  
Voltage gain  
G
V
Sink current  
I
V
V
= 0.5 V  
sink  
OL  
OH  
Source current  
I
= 4.5 V  
source  
V
I
I
= 5.0 mA  
⎯
4.7  
1.8  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
OL  
OH  
DD  
sink  
Output voltage  
V
V
V
V
= 5.0 mA  
source  
Operating supply voltage  
Propagation delay time (turn on)  
⎯
t
t
t
t
Over drive = 100 mV  
TTL step input  
680  
500  
250  
380  
60  
8
PLH (1)  
PLH (2)  
PHL (1)  
PHL (2)  
ns  
Over drive = 100 mV  
TTL step input  
Propagation delay time (turn off)  
Response time  
ns  
ns  
t
t
Over drive = 100 mV  
Over drive = 100 mV  
TLH  
THL  
Electrical Characteristics (unless otherwise specified, V = 3 V, V = GND, Ta = 25°C)  
DD  
SS  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Input offset voltage  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0
±1  
1
±7  
⎯
mV  
pA  
pA  
V
IO  
Input offset current  
Input bias current  
Common mode input voltage  
Supply current  
I
IO  
I
1
⎯
I
CMV  
⎯
2.1  
20  
⎯
IN  
I
(Note)  
⎯
6
10  
18  
15  
0.15  
2.85  
550  
250  
30  
8
μA  
mA  
mA  
DD  
Sink current  
I
V
V
= 0.5 V  
sink  
OL  
OH  
Source current  
I
= 2.5 V  
3
⎯
source  
V
I
I
= 5.0 mA  
⎯
2.65  
⎯
⎯
⎯
⎯
0.35  
⎯
OL  
sink  
Output voltage  
V
V
= 5.0 mA  
OH  
source  
Propagation delay time (turn on)  
Propagation delay time (turn off)  
t
t
Over drive = 100 mV  
Over drive = 100 mV  
Over drive = 100 mV  
Over drive = 100 mV  
⎯
ns  
ns  
PLH  
PHL  
⎯
t
t
⎯
TLH  
THL  
Response time  
ns  
⎯
Note: This device’s current consumption increases as its operating frequency increases. Note that the power  
dissipation should not exceed the allowable power dissipation.  
3
2007-11-01  
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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