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TC551001BFI-85L

更新时间: 2024-02-19 03:43:09
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 390K
描述
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDSO32, 0.525 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

TC551001BFI-85L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOIC
包装说明:SOP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.22
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
长度:20.6 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.8 mm
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.7 mmBase Number Matches:1

TC551001BFI-85L 数据手册

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