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TC5501D-1

更新时间: 2024-09-30 19:46:51
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东芝 - TOSHIBA 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 151K
描述
IC,SYNC SRAM,256X4,CMOS,DIP,22PIN,CERAMIC

TC5501D-1 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP22,.4Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:650 ns
JESD-30 代码:R-XDIP-T22JESD-609代码:e0
内存密度:1024 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:4端子数量:22
字数:256 words字数代码:256
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:256X4
输出特性:3-STATE封装主体材料:CERAMIC
封装代码:DIP封装等效代码:DIP22,.4
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.00001 A子类别:SRAMs
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

TC5501D-1 数据手册

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