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TC5504AP-2

更新时间: 2024-10-01 06:41:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 285K
描述
IC IC,SRAM,4KX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Static RAM

TC5504AP-2 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP18,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:8.78最长访问时间:200 ns
其他特性:LG-MAX; IT IS ALSO OFFERED IN CERDIP PACKAGEI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T18JESD-609代码:e0
长度:22.8 mm内存密度:4096 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:1
功能数量:1端子数量:18
字数:4096 words字数代码:4000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-30 °C组织:4KX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5 mm
最大待机电流:0.00002 A子类别:SRAMs
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

TC5504AP-2 数据手册

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