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TC518129CPL-80V

更新时间: 2024-10-01 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 327K
描述
IC 128K X 8 PSEUDO STATIC RAM, PDIP32, 0.600 INCH, 2.54 MM PITCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC518129CPL-80V 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:80 ns
其他特性:USER SELECTABLE 5V VCCI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32JESD-609代码:e0
长度:42 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:3/5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.8 mm
最大待机电流:0.000025 A最小待机电流:2.7 V
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.06 mA
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

TC518129CPL-80V 数据手册

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