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TC518129AP-80

更新时间: 2024-10-01 19:21:03
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
IC 128K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 80 ns, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32, Static RAM

TC518129AP-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP,
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89最长访问时间:80 ns
其他特性:CE/AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0长度:42 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:PSEUDO STATIC RAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified座面最大高度:4.8 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TC518129AP-80 数据手册

  

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