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TC514402AP-80

更新时间: 2024-09-30 02:56:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
22页 643K
描述
1,048,576 WORD x 4 BIT DYNAMIC RAM

TC514402AP-80 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.87
Is Samacsys:N访问模式:STATIC COLUMN
最长访问时间:80 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-PDIP-T20JESD-609代码:e0
长度:24.6 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:4.4 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

TC514402AP-80 数据手册

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