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TC511001AZ-80

更新时间： 2024-09-24 18:51:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
1页	83K
描述
IC 1M X 1 NIBBLE MODE DRAM, 80 ns, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19, Dynamic RAM

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TC511001AZ-80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	ZIP
包装说明：	ZIP,	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	访问模式：	NIBBLE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PZIP-T19	JESD-609代码：	e0
长度：	25.8 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	NIBBLE MODE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	19	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	ZIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	10.16 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	ZIG-ZAG	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TC511002AZ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 1M X 1 STATIC COLUMN DRAM, 70 ns, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19, Dynamic RAM
TC511402AJ-60	TOSHIBA	获取价格	1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM
TC511402AP-60	TOSHIBA	获取价格	1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM
TC511402ASJ-60	TOSHIBA	获取价格	1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM
TC511402AZ-60	TOSHIBA	获取价格	1,048,576 x 4 BIT DYNAMIC RAM
TC5116100BFT-50	TOSHIBA	获取价格	IC 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 50 ns, PDSO24, TSOP2-28/24, Dynamic RAM
TC5116100BFT-70	TOSHIBA	获取价格	IC 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24, TSOP2-28/24, Dynamic RAM
TC5116100BJ-60	TOSHIBA	获取价格	IC 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24, SOJ-28/24, Dynamic RAM
TC5116100BJ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24, SOJ-28/24, Dynamic RAM
TC5116100BSJ-70	TOSHIBA	获取价格	IC 16M X 1 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24, Dynamic RAM