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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CXDB-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| JESD-30 代码： | O-CXDB-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 4202 A | 断态重复峰值电压： | 3600 V |
| 重复峰值反向电压： | 3600 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TBS6416B4E | ETC |
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1M x 16Bit x 4 Banks synchronous DRAM |
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| TBS6416B4E-7G | ETC |
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1M x 16Bit x 4 Banks synchronous DRAM |
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| TBS7013502DH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS7013504DH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS7013505DH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS7013506DH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS7013507DH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS701350FDH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS701350GDH | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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| TBS701350HDH | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 5495A I(T)RMS, 100V V(RRM), 1 Element, TBS, 3 PIN |
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