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TB2300L PDF预览

TB2300L

更新时间： 2024-01-16 22:47:14
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美台 - DIODES 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 192K
描述
30A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB2300L 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.7最大转折电压：265 V
配置：SINGLE最大断态直流电压：190 V
最大维持电流：800 mAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
通态非重复峰值电流：40 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：255认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTOR
Base Number Matches：1

TB2300L 数据手册

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@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Off-State  
Leakage  
Current @  
VDRM  
Rated  
Repetitive  
Off-State  
Voltage  
On-State  
Voltage  
@ IT = 1A  
Breakover  
Current  
IBO  
Holding Current  
IH  
Breakover  
Voltage  
Off-State  
Capacitance  
Marking  
Code  
Part Number  
Min  
Min  
VDRM (V)  
IDRM (uA)  
VBO (V)  
VT (V)  
CO (pF)  
Max (mA)  
Max (mA)  
(mA)  
(mA)  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
TB0640L  
TB0720L  
TB0900L  
TB1100L  
TB1300L  
TB1500L  
TB1800L  
TB2300L  
TB2600L  
TB3100L  
TB3500L  
58  
65  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
100  
100  
100  
60  
T064L  
T072L  
T090L  
T110L  
T130L  
T150L  
T180L  
T230L  
T260L  
T310L  
T350L  
88  
75  
98  
90  
130  
160  
180  
220  
265  
300  
350  
400  
120  
140  
160  
190  
220  
275  
320  
60  
60  
60  
40  
40  
40  
40  
Symbol  
Parameter  
VDRM  
IDRM  
VBR  
IBR  
Stand-off Voltage  
Leakage current at stand-off voltage  
Breakdown voltage  
Breakdown current  
VBO  
IBO  
Breakover voltage  
Breakover current  
IH  
Holding current  
NOTE: 1  
VT  
On state voltage  
Peak pulse current  
Off-state capacitance  
IPP  
CO  
NOTE: 2  
Notes:  
1. IH > (VL/RL) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge  
recovery time does not exceed 30ms.  
2. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0VRMS signal, VR = 2VDC bias.  
I
I
PP  
I
BO  
I
H
I
BR  
I
DRM  
V
V
BR  
V
T
V
V
DRM  
BO  
T
EN  
PM  
LO  
VE  
DE  
R
DE  
UN  
DS30359 Rev. 2 - 1  
2 of 4  
TB0640L - TB3500L  
1234

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