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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> TB1100H-13-F
TB1100H-13-F PDF预览

TB1100H-13-F

更新时间： 2024-01-09 18:20:08
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100H-13-F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：0.63
其他特性：UL RECOGNIZED最大转折电压：130 V
配置：SINGLE最大断态直流电压：90 V
最大维持电流：800 mAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TB1100H-13-F 数据手册

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TB0640H - TB3500H  
100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR  
SURGE PROTECTIVE DEVICE  
Features  
·
·
·
·
·
·
·
100A Peak Pulse Current @ 10/1000ms  
400A Peak Pulse Current @ 8/20ms  
58 - 320V Stand-Off Voltages  
Oxide-Glass Passivated Junction  
Bi-Directional Protection In a Single Device  
High Off-State impedance and Low On-State Voltage  
B
SMB  
Min  
Dim  
A
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Helps Equipment Meet GR-1089-CORE, IEC 61000-4-5, FCC Part  
68, ITU-T K.20/K.21, and UL497B  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
A
J
C
B
·
·
UL Listed Under Recognized Component Index, File Number  
156346  
C
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 1)  
D
E
D
Mechanical Data  
·
G
H
Case: SMB  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
J
G
H
All Dimensions in mm  
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
E
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish).  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
·
·
·
·
Polarity: None; Bi-Directional Devices Have No Polarity Indicator  
Marking: Date Code & Marking Code (See Page 4)  
Ordering Information: See Page 4  
Weight: 0.093 grams (approximate)  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Non-Repetitive Peak Impulse Current  
Non-Repetitive Peak On-State Current  
Junction Temperature Range  
Symbol  
Ipp  
Value  
100  
50  
Unit  
A
@10/1000us  
ITSM  
@8.3ms (one-half cycle)  
A
Tj  
-40 to +150  
-55 to +150  
20  
°C  
TSTG  
RqJL  
Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance, Junction to Lead  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
°C/W  
°C/W  
%/°C  
RqJA  
100  
DVBR/DTj  
Typical Positive Temperature Coefficient for Breakdown Voltage  
0.1  
Maximum Rated Surge Waveform  
Waveform  
2/10 us  
Standard  
Ipp (A)  
500  
Peak Value (Ipp  
)
100  
50  
0
GR-1089-CORE  
IEC 61000-4-5  
FCC Part 68  
tr = rise time to peak value  
tp = decay time to half value  
8/20 us  
400  
Half Value  
10/160 us  
10/700 us  
10/560 us  
10/1000 us  
250  
ITU-T, K.20/K.21  
FCC Part 68  
200  
160  
GR-1089-CORE  
100  
tp  
tr  
0
TIME  
DS30360 Rev. 7 - 2  
1 of 4  
TB0640H - TB3500H  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TB1100H-7 DIODES Silicon Surge Protector, 50A, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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