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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> TB1100H-13-F
TB1100H-13-F PDF预览

TB1100H-13-F

更新时间： 2024-02-16 04:33:59
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 73K
描述
100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100H-13-F 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
Factory Lead Time：12 weeks风险等级：0.63
其他特性：UL RECOGNIZED最大转折电压：130 V
配置：SINGLE最大断态直流电压：90 V
最大维持电流：800 mAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
通态非重复峰值电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260认证状态：Not Qualified
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TB1100H-13-F 数据手册

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@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Off-State  
Leakage  
Current @  
VDRM  
Rated  
Repetitive  
Off-State  
Voltage  
On-State  
Voltage  
@ IT = 1A  
Breakover  
Current  
IBO  
Holding Current  
IH  
Breakover  
Voltage  
Off-State  
Capacitance  
Marking  
Code  
Part Number  
Min  
Min  
VDRM (V)  
IDRM (uA)  
VBO (V)  
VT (V)  
C
O (pF)  
Max (mA)  
Max (mA)  
(mA)  
(mA)  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
TB0640H  
TB0720H  
TB0900H  
TB1100H  
TB1300H  
TB1500H  
TB1800H  
TB2300H  
TB2600H  
TB3100H  
TB3500H  
58  
65  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
200  
200  
200  
120  
120  
120  
120  
80  
T064H  
T072H  
T090H  
T110H  
T130H  
T150H  
T180H  
T230H  
T260H  
T310H  
T350H  
88  
75  
98  
90  
130  
160  
180  
220  
265  
300  
350  
400  
120  
140  
160  
190  
220  
275  
320  
80  
80  
80  
Symbol  
Parameter  
VDRM  
IDRM  
VBR  
IBR  
Stand-off Voltage  
Leakage current at stand-off voltage  
Breakdown voltage  
Breakdown current  
VBO  
IBO  
Breakover voltage  
Breakover current  
IH  
Holding current  
NOTE: 2  
VT  
On state voltage  
Peak pulse current  
Off-state capacitance  
IPP  
CO  
NOTE: 3  
Notes:  
1. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
2. > (V /R ) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge  
I
H
L
L
recovery time does not exceed 30ms.  
3. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0V  
signal, V = 2V  
R
bias.  
DC  
RMS  
I
IPP  
IBO  
IH  
IBR  
IDRM  
V
VBR  
VT  
VDRM  
VBO  
DS30360 Rev. 7 - 2  
2 of 4  
TB0640H - TB3500H  
www.diodes.com  
1234

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TB1100H-13-F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TB1100H-13 DIODES

完全替代

 100A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
P1100SBRP TECCOR

类似代替

 Silicon Surge Protector, 130V V(BO) Max, 30A, DO-214AA, DO-214AA, 2 PIN
NP1100SBT3G ONSEMI

功能相似

 Thyristor Surge Protectors High Voltage Bidirectional

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