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T829N26TOF PDF预览

T829N26TOF

更新时间： 2024-10-03 04:58:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅栅极
页数 文件大小 规格书
29页 701K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1800A I(T)RMS, 1145000mA I(T), 2600V V(DRM), 2600V V(RRM), 1 Element

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T829N26TOF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84标称电路换相断开时间：350 µs
配置：SINGLE关态电压最小值的临界上升速率：1000 V/us
最大直流栅极触发电流：250 mA最大直流栅极触发电压：1.5 V
最大维持电流：600 mAJESD-30 代码：O-CXDB-X4
最大漏电流：100 mA通态非重复峰值电流：17500 A
元件数量：1端子数量：4
最大通态电流：1145000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：ROUND封装形式：DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大均方根通态电流：1800 A断态重复峰值电压：2600 V
重复峰值反向电压：2600 V子类别：Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：YES端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UNSPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCR

T829N26TOF 数据手册

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Technische Information / Technical Information  
Netz-Thyristor  
N
Phase Control Thyristor  
T 829 N 20 ...26  
Elektrische Eigenschften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = - 40°C...Tvj max  
Tvj = + 25°C...Tvj max  
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung  
repetitive peak forward off-state and reverse voltages  
VDRM , VRRM  
2000  
2400  
2200  
2600  
V
V
1)  
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung  
VDSM  
2000  
2400  
2200  
2600  
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage  
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung  
non-repetitive peak reverse voltage  
VRSM  
2100  
2500  
2300  
2700  
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
RMSM on-state current  
ITRSMSM  
1800  
A
TC = 85 °C  
TC = 60 °C  
Dauergrenzstrom  
ITAVM  
829  
A
A
average on-state current  
1145  
Tvj = 25°C, tp = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
ITSM  
17500  
15500  
A
A
*103  
*103  
Tvj = 25°C, tp = 10ms  
Tvj = Tvj max, tp = 10ms  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
I²t  
1531  
1201  
A²s  
A²s  
Kritische Stromsteilheit  
DIN IEC 747-6  
(diT/dt)cr  
50  
A/µs  
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A  
diG/dt = 1 A/µs  
critical rate of rise of on-state current  
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM  
Kritische Spannungssteilheit  
(dvD/dt)cr  
1000  
V/µs  
critical rate of rise of off-state voltage  
5.Kennbuchstabe / 5th letter F  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Tvj = Tvj max, iT = 1800 A  
Durchlaßspannung  
on-state voltage  
vT  
max.  
1,78  
0,95  
V
Tvj = Tvj max  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
VT(TO)  
V
mW  
Tvj = Tvj max  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
rT  
0,425  
Tvj = Tvj max  
Durchlaßkennlinie  
A= 1,0069  
on-state voltage  
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x Ö iT  
B= 3,381E-04  
C=-0,02723  
D= 8,5423E-03  
Tvj = 25°C, vD = 6 V  
Tvj = 25°C, vD = 6V  
Zündstrom  
IGT  
VGT  
IGD  
VGD  
IH  
max.  
max.  
250  
1,5  
mA  
V
gate trigger current  
Zündspannung  
gate trigger voltage  
Tvj = Tvj max, vD = 6 V  
Nicht zündener Steuerstrom  
gate non-trigger current  
max.  
max.  
10  
5
mA  
mA  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM  
Nicht zündene Steuerspannung  
gate non-trigger voltage  
max.  
max.  
max.  
0,2  
mV  
mA  
mA  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 W  
Haltestrom  
600  
holding current  
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>= 10 W  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
tg = 20 µs  
Einraststrom  
IL  
2000  
latching current  
Tvj = Tvj max  
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom  
forward off-state and reverse currents  
iD, iR  
max.  
max.  
100  
4
mA  
µs  
vD = VDRM, vR = VRRM  
Zündverzug  
DIN IEC 747-6  
tgd  
Tvj = 25°C  
gate controlled delay time  
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs  
SZ-AM / 99-09-10, K.-A.Rüther  
A 122/99  
Seite/page 1  
1234567...29

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
T82F016.526DN POWEREX

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