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T2316160A-45

更新时间: 2024-02-16 16:11:25
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TMT /
页数 文件大小 规格书
13页 140K
描述
1024K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE

T2316160A-45 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:TSOP2, TSOP44/50,.46,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:45 ns其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44/50,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.19 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

T2316160A-45 数据手册

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TE  
tmCH  
T2316160A  
PACKAGE DIMENSIONS  
44/50L LEAD TSOPII DRAM (400 mil)  
"A"  
SYMBOL  
DIMENSIONS IN INCHES  
0.047  
DIMENSIONS IN MM  
A
A1  
A2  
b
1.200(MAX)  
0.050~0.150  
0.950~1.050  
0.300~0.450  
0.120~0.210  
20.820~21.080  
11.560~11.960  
0.800  
0.002~0.006  
0.037~0.041  
0.012~0.018  
0.005~0.008  
0.820~0.830  
0.455~0.471  
0.031  
c
D
E
e
E1  
L
0.395~0.405  
0.016~0.024  
0.031  
10.030~10.290  
0.400~0.600  
0.800  
L1  
θ
0°~5°  
0°~5°  
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right P. 13  
to change products or specifications without notice.  
Publication Date: APR. 2002  
Revision:A  

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