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T2316160A-45

更新时间： 2024-02-15 12:27:37
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页数 文件大小 规格书
13页 140K
描述
1024K x 16 DYNAMIC RAM FAST PAGE MODE

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T2316160A-45 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSOP2, TSOP44/50,.46,32
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：N访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G44
长度：20.95 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：44字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：1MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44/50,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.19 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

T2316160A-45 数据手册

 浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第2页浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第3页浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第4页浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第5页浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第6页浏览型号T2316160A-45的Datasheet PDF文件第7页 
TE  
tmCH  
T2316160A  
1024K x 16 DYNAMIC RAM  
DRAM  
FAST PAGE MODE  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
• Industry-standard x 16 pinouts and timing  
functions.  
• Single 5V (±10%) power supply.  
• All device pins are TTL- compatible.  
• 1K-cycle refresh in 16ms.  
The T2316160A is a randomly accessed solid state  
memory containing 16,777,216 bits organized in a  
x16 configuration. The T2316160A has both  
BYTE WRITE and WORD WRITE access cycles  
via two CAS pins. It offers Fast Page mode with  
Extended Data Output.  
RAS  
CAS  
BEFORE  
• Refresh modes:  
only,  
(CBR) and HIDDEN.  
RAS  
• BYTE WRITE and BYTE READ access cycles.  
CAS  
The T2316160A  
determined by the first  
by the last to transition back high. Use only one of  
CAS  
function and timing are  
CAS  
to transition low and  
OPTION  
TIMING  
MARKING  
the two  
and leave the other staying high  
45ns  
60ns  
-45  
-60  
during WRITE will result in a BYTE WRITE.  
CASL to transition low in a WRITE cycle will  
write data into the lower byte (DQ0~DQ7), and  
PACKAGE  
42-pin SOJ  
44/50-pin TSOPII  
J
S
CASH  
transiting low will write data into the  
upper byte (DQ8~DQ15).  
PIN ASSIGNMENT ( Top View )  
VDD  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VDD  
Vss  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
Vss  
2
V
DD  
Vss  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
3
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ15  
DQ14  
DQ13  
DQ12  
Vss  
4
2
5
3
6
4
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
7
5
8
V
DD  
6
9
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
NC  
DQ11  
DQ10  
DQ9  
DQ8  
NC  
7
10  
11  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
CASL  
CASH  
OE  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
NC  
CASL  
CASH  
OE  
A9  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
WE  
RAS  
NC  
A9  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
A1  
A6  
A1  
A6  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
A3  
A4  
V
DD  
Vss  
VDD  
Vss  
Taiwan Memory Technology, Inc. reserves the right P. 1  
to change products or specifications without notice.  
Publication Date: APR. 2002  
Revision:A  
1234567...13

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