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T2001N30TOF

更新时间： 2024-10-01 19:45:39

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	245K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4350A I(T)RMS, 2050000mA I(T), 3000V V(DRM), 3000V V(RRM), 1 Element,

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T2001N30TOF 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.66
标称电路换相断开时间：	300 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us
最大直流栅极触发电流：	350 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	350 mA	最大漏电流：	300 mA
通态非重复峰值电流：	42500 A	最大通态电压：	1.5 V
最大通态电流：	2050000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	3000 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T2001N30TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T 2001N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

3000

3400

3200 V

3500 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^PerK^iode^isn^cn^heda^Vt^oe^rwn^{ärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

3100

3500

3300 V

3600 V

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= 0°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

4350 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

2050 A

2750 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

T_C= 60 °C

42500 A

38500 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

9000 10³ A²s

7400 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

300 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

typ.

1,35 V

1,5 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 2000A

T_vj= T_{vj max}

v_T

max.

on-state voltage

typ.

0,9 V

1 V

Schleusenspannung

threshold voltage

V_(TO)

r_T

max.

typ. 0,225 mΩ

max. 0,25 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

T_vj= T_{vj max}

typ.

-0,0978

0,000187

0,15

Durchlaßkennlinie

T_vj= T_{vj max}

on-state characteristic

v_T= A + B ⋅ i_T+ C ⋅ Ln(i_T+ 1) + D ⋅ i_T

-0,00173

-0,0981

0,000153

0,143

max.

0,00466

350

Zündstrom

gate trigger current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

2,5

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

20 mA

10 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

0,4 V

350 mA

3 A

Haltestrom

holding current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

Einraststrom

latching current

I_L

i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

i_D, i_R

t_gd

400 mA

1,5 µs

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 3 A, di_G/dt = 6 A/µs

J. Przybilla

date of publication: 15.05.03

prepared by:

revision:

approved by: R. Keller

BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller

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与T2001N30TOF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T2001N36TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4500A I(T)RMS, 2050000mA I(T), 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1
T2001N36TOFXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4500A I(T)RMS, 3600V V(DRM), 3600V V(RRM), 1 Element,
T2002	MARKTECH	获取价格	Wire Terminal
T-20020	RHOMBUS-IND	获取价格	SCR Trigger and Control Transformers
T-20021	RHOMBUS-IND	获取价格	SCR Trigger & Control Transformer
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