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T1040N20TOFVTXPSA1

更新时间: 2024-02-13 20:52:16
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 289K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2360A I(T)RMS, 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 Element,

T1040N20TOFVTXPSA1 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:DISK BUTTON, O-XXDB-X3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
Base Number Matches:1

T1040N20TOFVTXPSA1 数据手册

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Datenblatt / Data sheet  
N
Netz-Thyristor  
T1040N  
Phase Control Thyristor  
100  
10  
1
c
b
a
0,1  
10  
iG [mA]  
100  
1000  
10000  
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V  
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V  
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :  
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms  
10000  
1000  
100  
iTM = 2000A  
1000A  
500A  
200A  
100A  
50A  
-di/dt [A/µs]  
1
10  
100  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)  
Tvj= Tvjmax, vR 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM  
IFBIP D AEC / 2009-03-04 / H.Sandmann  
A 06/09  
Seite/page  
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